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什么是字线和位线 ?

  如图,在MOS管中,漏极所接线是位线而栅极所接线就是字线。字线为高电平时T管导通,字线为低电平时则截止。访问SRAM时,字线(Word Line)加高电平,使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M,与M开通,把基本单元与位线(Bit Line)连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线,但是这种取反的位线有助于改善噪声容限。

  SRAM一般由五大部分组成,即存储单元阵列、地址译码器(包括行译码器和列译码器)、灵敏放大器、控制电路和缓冲/驱动电路。存储阵列中的每个存储单元都与其它单元在行和列上共享电学连接。

  有的存储器设计成多位数据如4位或8位等同时输入和输出,这样的线个存储单元按上述方法被选中进行读写操作。

  展开全部存储矩阵是存放信息的主体,它由许多存储单元排列组成。每个存储单元存放一位二值代码(0或 1),若干个存储单元组成一个“字”(也称一个信息单元)。地址译码器有n条地址输入线n条译码输出线,每一条译码输出线Wi称为“字线”,它与存储矩阵中的一个“字”相对应。因此,每当给定一组输入地址时,译码器只有一条输出字线Wi被选中,该字线可以在存储矩阵中找到一个相应的“字”,并将字中的m位信息Dm-1~D0送至输出缓冲器。读出Dm-1~D0的每条数据输出线Di也称为“位线”,每个字中信息的位数称为“字长”。

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